国家共充过2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。

发改覆盖(h) 随波长变化下CuNWs和Cu@GaNNWs的吸收光谱。该项目获得了国家重点研发计划、线城心城国家自然科学基金、福建省科技计划等项目的资助。

市中设施(g)氮化后沉积Au的NWs网络的SEM图像。分别在不同反应条件下NWs的SEM图像：电桩(d)550°C、50sccmNH3、无铜箔胶囊。提出在CuNWs表面包裹Ga金属，率超并经过高温氮化工艺而形成高质量的GaN壳层的纳米材料技术，率超同时利用Cu原子向GaN层径向扩散机制，构造了Cu/GaN界面径向肖特基结结构。

基于该新型纳米功能结构材料，国家共充过成功设计并制造了一种高响应度、国家共充过自供电的海底PEC光电探测器，该探测器通过微管道直接引入海水作为电解质，实现对蓝光信号（458nm）的灵敏稳定通信探测，获得5.04 mA/W的高响应度和0.68 ms的快速响应时间。发改覆盖(d)纯GaN和Cu掺杂GaN(Cu=8.3%)的能带结构图。

（3）设计流体微管，线城心城直接引入天然海水作为探测器件的电解液，线城心城从而使海底通信器件具有免密封和极佳的海水亲和性，改善了器件在水下工作的可靠性和稳定性。

(g)Cu@GaNNWs、市中设施GP和GC的Nyquist曲线，其中所有测试都使用海水作为电解质。电桩Ar等离子体的高能轰击导致Cu表面粒子横向粗化。

相比热压键合常用的预处理手段，率超共亲水性活化技术跳出了Cu和SiO2表面低温键合原理难以兼容的困境。此外，国家共充过由于化学机械抛光过程所用的抛光剂对于Cu和SiO2表面去除速率不同，国家共充过Cu/SiO2混合表面不可避免地形成深度为30nm左右的Cu凹陷结构，该结构深度在经过Ar/O2→NH4OH活化后略微降低。

通过结合等离子体与湿法活化开发Ar/O2等离子体→氨水(NH4OH)两步协同活化方式，发改覆盖在Cu和SiO2混合表面上同时悬挂充足的-OH及-NH2以实现亲水化，发改覆盖在大气环境中200℃下官能团间即可发生脱水聚合反应，结合热压键合过程最终形成牢固连接。Cu-Cu键合界面在亲水官能团的帮助下，线城心城通过脱水缩合在200℃下实现无空隙界面。